主持国家自然科学基金面上项目和青年基金、世界首教育部博士点基金、世界首国家人社部留学人员科技活动项目择优资助经费、吉林省科技厅面上项目和青年基金、吉林省教育厅基金、吉林省人才开发基金、吉林省人社局留学人员科技活动项目择优资助经费、中央高校业务费青年教师科研发展基金、重点实验室开放课题等多项基金。
两端流工b)Co0.5Ni0.5Fe2O4(001)表面0.5A层的侧视图和俯视图。先前基于密度泛函理论(DFT)的理论研究从原子级层面加深了对材料性质的了解，端±包括不同块状铁氧体MFe2O4(M=Co,Ca,Ni,Mg,Zn,Cu)的电子结构以及磁性。
此外，伏直不寻常的弛豫模式能够使OOH中间体与能够降低限速步骤反应自由能的相邻表面氧形成氢键。特别地，程投产额外的Fe单层导致活性位点处的氧化态和键合机制的可控调节，是有望改善尖晶石催化剂性能的策略之一。为了比较，世界首具有Co活性位点的原始A和B终端的过电势随pH的变化以黑线标记。
【成果简介】近日，两端流工德国杜伊斯堡-艾森大学RossitzaPentcheva教授(通讯作者)等使用DFT+U计算探索了表面终止原子和阳离子取代对CoxNi1-xFe2O4(001)表面(x=0.0,0.5,1.0)阳极材料氧析出反应(OER)性能的影响，两端流工并在ACSCatal.上发表了题为SurfaceTerminationandCompositionControlofActivityoftheCoxNi1-xFe2O4(001)SurfaceforWaterOxidation:InsightsfromDFT+UCalculations的研究论文。端±文献链接：SurfaceTerminationandCompositionControlofActivityoftheCoxNi1-xFe2O4(001)SurfaceforWaterOxidation:InsightsfromDFT+UCalculations(ACSCatal.,2018,DOI:10.1021/acscatal.8b00574)本文由材料人编辑部abc940504编译整理。
图4中间体累积自由能和Co0.5Ni0.5Fe2O4(001)反应位点的过电势B层(左)和A层(右)末端的中间体累积自由能ΣΔGi以及用于混合氧化物的相应中间体结构的侧视图，伏直中间步骤1-4以其产物*OH,*O,*OOH和*()表示。
程投产投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenvip。注：世界首三星、世界首高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。
三星和LG并未明确说明何时推出产品，两端流工报道称最早预计在明年上半年。据韩媒etnews今日报道，端±三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。
▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，伏直以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。同时，程投产司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，程投产将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。
